Mots-clés
Wafers Neuf
Diamètre : 124.5-125.5 mm Orientation : P<100> Année de Fabrication : 1995 Substrat Epaisseur : 610-640 µm Résistivité : 5-20e-3 Ω.cm Croissance : CZ Dopant : B EPI Epaisseur : 9.5-10.5 µm Dopant : B Résistivité : 5-8 Ω.cm
Diamètre : 124.5-125.5 mm Orientation : P<100> Année de Fabrication : 1995 Substrat Epaisseur : 610-640 µm Résistivité : 5-20e-3 Ω.cm Croissance : CZ Dopant : B EPI Epaisseur : 11.4-12.6 µm Dopant : B Résistivité : 8-15 Ω.cm
Diamètre : 124.5-125.5 mm Orientation : P<100> Année de Fabrication : Substrat Epaisseur : Résistivité : 0.010-0.020 Ω.cm Croissance : CZ Dopant : B EPI Epaisseur : 5.60-6.40 µm Dopant : B Résistivité : 1-1.5 Ω.cm
Diamètre : 124.5-125.5 mm Orientation : P<100> Année de Fabrication : 1995 Substrat Epaisseur : 610-640 µm Résistivité : 5.0-20.0 Ω.cm Croissance : CZ Dopant : B EPI Epaisseur : 3.5-4.5 µm Dopant : B Résistivité : 8-15 Ω.cm
Diamètre : 125 mm Orientation : P<100> Année de Fabrication : Substrat Epaisseur : 625+/-25 µm Résistivité : 0.005-0.010 Ω.cm Croissance : Dopant : B EPI Epaisseur : 5.6-6.4 µm Dopant : B Résistivité : 1-1.5e15 Ω.cm
Diamètre : 124.5-125.5 mm Orientation : P<100> Année de Fabrication : Substrat Epaisseur : 600-650 µm Résistivité : 0.005-0.010 Ω.cm Croissance : CZ Dopant : B EPI Epaisseur : 2.6-3.0 µm Dopant : B Résistivité : 4.0-6.0e15 Ω.cm
Diamètre : 125 mm Orientation : P<100> Année de Fabrication : Substrat Epaisseur : Résistivité : Croissance : Dopant : EPI Epaisseur : Dopant : Résistivité :
Diamètre : 124.5-125.5 mm Orientation : P<100> Année de Fabrication : Substrat Epaisseur : 600-650 µm Résistivité : 0.005-0.020 Ω.cm Croissance : Dopant : B EPI Epaisseur :15.2-16.8 µm Dopant : B Résistivité : 8.0-15.0 Ω.cm
Diamètre : 125 mm Orientation : P<100> Année de Fabrication : Substrat Epaisseur : 625+/-15 µm Résistivité : 0.005-0.020 Ω.cm Croissance : Dopant : B EPI Epaisseur :7.4-8.6 µm Dopant : B Résistivité : 5.0-8.0 Ω.cm
Diamètre : 125 mm Orientation : P<100> Année de Fabrication : Substrat Epaisseur : 625+/-25 µm Résistivité : 0.005-0.010 Ω.cm Croissance : Dopant : EPI Epaisseur : 2.58-3.02 µm Dopant : Résistivité : 2.3-3.3 Ω.cm
Diamètre : 124.5-125.5 mm Orientation : P<100> Année de Fabrication : Substrat Epaisseur : 600-650 µm Résistivité : 5-20e-3 Ω.cm Croissance : CZ Dopant : B EPI Epaisseur : 9.5-10.5 µm Dopant : B Résistivité : 3.0-5.0 Ω.cm
Diamètre : 124.5-125.5 mm Orientation : P<100> Année de Fabrication : Substrat Epaisseur : 610-640 µm Résistivité : 0.008-0.025 Ω.cm Croissance : Dopant : B EPI Epaisseur : 9.5-10.5 µm Dopant : B Résistivité : 8.0-15.0 Ω.cm