MEMC

D0-B0

Nouveau produit

Diamètre : 124.5-125.5 mm

Orientation : P<100>

Année de Fabrication : 1995

 Substrat

Epaisseur : 610-640 µm

Résistivité : 5-20e-3 Ω.cm

Croissance : CZ

Dopant : B

EPI

Epaisseur : 9.5-10.5 µm

Dopant : B

Résistivité : 5-8 Ω.cm

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35 Produits

25,00 € HT

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Boîte de 25 plaquettes de Silicium 125 mm, qualité Semiconducteur

Date de production : 1995

Double emballage salle blanche PE + aluminium, ces wafers conviennent parfaitement pour les applications suivantes :

-tests, essais (laboratoires, universités),

-caractérisation d'équipement de dépôt, de handling,

-applications en optoélectronique 

Spécifications à la fabrication :

 

Caractéristiques

Diamètre : 124.5-125.5 mm

Orientation : P<100>

Année de Fabrication : 1995

 

Substrat

Epaisseur : 610-640 µm

Résistivité : 5-20e-3 Ω.cm

Croissance : CZ

Dopant : B

EPI

Epaisseur : 9.5-10.5 µm

Dopant : B

Résistivité : 5-8 Ω.cm