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Wafers Neuf
Neuf Il y a 7 produits.
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Toshiba
Diamètre : 200+/-0.25 mm Orientation : P <100> Année de Fabrication : 1999 Substrat Epaisseur : 725+/-20 µm Résistivité : 1.0-2.0 Ω.cm Croissance : CZ Dopant : P(B) Warp : TTV :
37,50 €Disponible -
SEH America
Diamètre : 199.70-200.20 mm Orientation : P <100> Année de Fabrication : 2004 Substrat Epaisseur : 705-745 µm Résistivité : 1.0-2.0 Ω.cm Croissance : CZ Dopant : B
37,50 €Disponible -
MEMC
Diamètre : 200 mm Orientation : P<100> Année de Fabrication : Substrat Epaisseur : 705-745 µm Résistivité : 9.0-18.0 Ω.cm Croissance : CZ Dopant : B
37,50 €Disponible -
Wacker
Diamètre : 200 mm Orientation : P<100> Année de Fabrication : Substrat Epaisseur : 625+25-40 µm Résistivité : 33-75 Ω.cm Croissance : CZ Dopant : B
37,50 €Disponible -
Wacker
Diamètre : 200 mm Orientation : P<100> Année de Fabrication : Substrat Epaisseur : 725+/-15 µm Résistivité : 1-2 Ω.cm Croissance : CZ Dopant : B
50,00 €Disponible -
Shinetsu (SEH America)
Diamètre : 199.75-200.25 mm Orientation : P <100> Année de Fabrication : Substrat Epaisseur : 705-745 µm Résistivité : 1.0-2.0 Ω.cm Croissance : Dopant : B
37,50 €Disponible -
Komatsu
Diamètre : 199.80-200.20 mm Orientation : P <100> Année de Fabrication : Substrat Epaisseur : 710-740 µm Résistivité : 1.0-2.0 Ω.cm Croissance : Dopant : B
37,50 €Disponible
