B0
Nouveau produit
Diamètre : 124.5-125.5 mm
Orientation : P<100>
Année de Fabrication : 1995
Substrat
Epaisseur : 610-640 µm
Résistivité : 5.0-20.0 Ω.cm
Croissance : CZ
Dopant : B
EPI
Epaisseur : 3.5-4.5 µm
Dopant : B
Résistivité : 8-15 Ω.cm
1 Article Produits
Attention : dernières pièces disponibles !
Date de disponibilité:
Boîte de 25 plaquettes de Silicium 125 mm, qualité Semiconducteur
Date de production : 1995
Double emballage salle blanche PE + aluminium, ces wafers conviennent parfaitement pour les applications suivantes :
-tests, essais (laboratoires, universités),
-caractérisation d'équipement de dépôt, de handling,
-applications en optoélectronique
Spécifications à la fabrication :
Caractéristiques
Diamètre : 124.5-125.5 mm
Orientation : P<100>
Année de Fabrication : 1995
Substrat
Epaisseur : 610-640 µm
Résistivité : 5.0-20.0 Ω.cm
Croissance : CZ
Dopant : B
EPI
Epaisseur : 3.5-4.5 µm
Dopant : B
Résistivité : 8-15 Ω.cm