Mots-clés
Wafers Neuf
Diamètre : 125 mm Orientation : P<100> Année de Fabrication : Substrat Epaisseur : 585.0-665.0 µm Résistivité : 11.0-25.0 Ω.cm Croissance : CZ Dopant : B
Diamètre : 125 mm Orientation : P<100> Année de Fabrication : 1998 Substrat Epaisseur : 625+25-40 µm Résistivité : 20-40 Ω.cm Croissance : CZ Dopant : PH
Diamètre : 125 mm Orientation : P<100> Année de Fabrication : 1998 Substrat Epaisseur : 625+/-25 µm Résistivité : 11.0-16.0 Ω.cm Croissance : CZ Dopant : B
Diamètre : 125 mm Orientation : P<100> Année de Fabrication : 1998 Substrat Epaisseur : 625+/-40 µm Résistivité : 11.0-25.0 Ω.cm Croissance : CZ Dopant : B
Diamètre : 125 mm Orientation : P<100> Année de Fabrication : Substrat Epaisseur : 610-640 µm Résistivité : 3-5 Ω.cm Croissance : CZ Dopant : PH
Diamètre : 125 mm Orientation : P<100> Année de Fabrication : Substrat Epaisseur : 625+/-20 µm Résistivité : 3.0-5.0 Ω.cm Croissance : CZ Dopant : B
Diamètre : 124.72-125-28 mm Orientation : P<100> Année de Fabrication : Substrat Epaisseur : 585.0-665.0 µm Résistivité : 11.0-25.0 Ω.cm Croissance : Dopant : B
Diamètre : 124.5-125.5 mm Orientation : P<100> Année de Fabrication : Substrat Epaisseur : 475.0-675.0 µm Résistivité : 11.0-25.0 Ω.cm Croissance : CZ Dopant : B
Diamètre : 124.5-125.5 mm Orientation : P<100> Année de Fabrication : Substrat Epaisseur : 475.0-675.0 µm Résistivité : 1.0-60.0 Ω.cm Croissance : CZ Dopant : B