Mots-clés
Wafers Neuf
Diamètre : 124.8-125.2 mm Orientation : P<100> Année de Fabrication : Substrat Epaisseur : 600-650 µm Résistivité : 0.010-0.020 Ω.cm Croissance : CZ Dopant : B EPI Epaisseur : 10.60-13.30 µm Dopant : B Résistivité : 1.0-1.5e15 Ω.cm
Diamètre : 124.5-125.5 mm Orientation : P<100> Année de Fabrication : Substrat Epaisseur : 610-640 µm Résistivité : 0.005-0.020 Ω.cm Croissance : CZ Dopant : B EPI Epaisseur : 11.40-12.60 µm Dopant : B Résistivité : 8.0-15.0 Ω.cm