MEMC

D0-B4-B1

Nouveau produit

Diamètre : 124.5-125.5 mm

Orientation : P<100>

Année de Fabrication : 

Substrat

Epaisseur :

Résistivité : 0.010-0.020 Ω.cm

Croissance : CZ

Dopant : B

EPI

Epaisseur : 5.60-6.40 µm

Dopant : B

Résistivité : 1-1.5 Ω.cm

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4 Produits

25,00 € HT

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Boîte de 25 plaquettes de Silicium 125 mm, qualité Semiconducteur

Date de production : 

Double emballage salle blanche PE + aluminium, ces wafers conviennent parfaitement pour les applications suivantes :

-tests, essais (laboratoires, universités),

-caractérisation d'équipement de dépôt, de handling,

-applications en optoélectronique 

Spécifications à la fabrication :

 

Caractéristiques

Diamètre : 124.5-125.5 mm

Orientation : P<100>

Année de Fabrication : 

Substrat

Epaisseur :

Résistivité : 0.010-0.020 Ω.cm

Croissance : CZ

Dopant : B

EPI

Epaisseur : 5.60-6.40 µm

Dopant : B

Résistivité : 1-1.5 Ω.cm