Mots-clés
Diamètre : 200mm Orientation : P<100> Année de Fabrication : 2001 Substrat Epaisseur : >640 µm Résistivité : >1 Ω.cm Croissance : Dopant :
Diamètre : 200 mm Orientation : P<100> Année de Fabrication : Substrat Epaisseur : >660 µm Résistivité : >1 Ω.cm Croissance : Dopant :
Diamètre : 200mm Orientation : P<100> Année de Fabrication : 1997 Substrat Epaisseur : >625 µm Résistivité : 1-50 Ω.cm Croissance : Dopant :
Diamètre : 200mm Orientation : P<100> Année de Fabrication : 1999 Substrat Epaisseur : >610 µm Résistivité : Croissance : Dopant :
Diamètre : 200 mm Orientation : P<100> Année de Fabrication : 1998 Substrat Epaisseur : 725+/-20 µm Résistivité : 1-2 Ω.cm Croissance : CZ Dopant : B EPI Epaisseur : 2.85-3.15 µm Dopant : B Résistivité : 9-11e15 Ω.cm
Diamètre : 200 mm Orientation : P or N <100> Année de Fabrication : 2001 Substrat Epaisseur : >630 µm Résistivité : >1 Ω.cm Croissance : Dopant :
Diamètre : 200 mm Orientation : P or N <100> Année de Fabrication : 2002 Substrat Epaisseur : >640 µm Résistivité : >1 Ω.cm Croissance : Dopant :
Diamètre : 200+/-0.25 mm Orientation : P <100> Année de Fabrication : 1999 Substrat Epaisseur : 725+/-20 µm Résistivité : 1.0-2.0 Ω.cm Croissance : CZ Dopant : P(B) Warp : TTV :
Diamètre : 199.70-200.20 mm Orientation : P <100> Année de Fabrication : 2004 Substrat Epaisseur : 705-745 µm Résistivité : 1.0-2.0 Ω.cm Croissance : CZ Dopant : B
Diamètre : 200 mm Orientation : P<100> Année de Fabrication : Substrat Epaisseur : 705-745 µm Résistivité : 9.0-18.0 Ω.cm Croissance : CZ Dopant : B
Diamètre : 200 mm Orientation : P<100> Année de Fabrication : Substrat Epaisseur : 625+25-40 µm Résistivité : 33-75 Ω.cm Croissance : CZ Dopant : B
Diamètre : 200 mm Orientation : P<100> Année de Fabrication : Substrat Epaisseur : 725+/-15 µm Résistivité : 1-2 Ω.cm Croissance : CZ Dopant : B