Mots-clés
Wafers Neuf
Diamètre : 200 mm Orientation : P<100> Année de Fabrication : Substrat Epaisseur : Résistivité : 5.0-10.0 Ω.cm Croissance : CZ Dopant : B EPI Epaisseur : 2.26-2.44 µm Dopant : B Résistivité :
Diamètre : 200 mm Orientation : P<100> Année de Fabrication : 1998 Substrat Epaisseur : 725+/-20 µm Résistivité : 1-2 Ω.cm Croissance : CZ Dopant : B EPI Epaisseur : 2.85-3.15 µm Dopant : B Résistivité : 9-11e15 Ω.cm