D0
Nouveau produit
Diamètre : 125 mm
Orientation : P<100>
Année de Fabrication :
Substrat
Epaisseur : 625+/-25 µm
Résistivité : 0.005-0.010 Ω.cm
Croissance :
Dopant :
EPI
Epaisseur : 2.58-3.02 µm
Dopant :
Résistivité : 2.3-3.3 Ω.cm
1 Article Produits
Attention : dernières pièces disponibles !
Date de disponibilité:
Boîte de 25 plaquettes de Silicium 125 mm, qualité Semiconducteur
Date de production :
Double emballage salle blanche PE + aluminium, ces wafers conviennent parfaitement pour les applications suivantes :
-tests, essais (laboratoires, universités),
-caractérisation d'équipement de dépôt, de handling,
-applications en optoélectronique
Spécifications à la fabrication :
Caractéristiques
Diamètre : 125 mm
Orientation : P<100>
Année de Fabrication :
Substrat
Epaisseur : 625+/-25 µm
Résistivité : 0.005-0.010 Ω.cm
Croissance :
Dopant :
EPI
Epaisseur : 2.58-3.02 µm
Dopant :
Résistivité : 2.3-3.3 Ω.cm