L5
Nouveau produit
Diamètre : 200 mm
Orientation : P<100>
Année de Fabrication : 1998
Substrat
Epaisseur : 725+/-20 µm
Résistivité : 1-2 Ω.cm
Croissance : CZ
Dopant : B
EPI
Epaisseur : 2.85-3.15 µm
Dopant : B
Résistivité : 9-11e15 Ω.cm
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Date de disponibilité:
Boîte de 25 plaquettes de Silicium 200 mm, qualité Semiconducteur
Date de production : 1998
Double emballage salle blanche PE + aluminium, ces wafers conviennent parfaitement pour les applications suivantes :
-tests, essais (laboratoires, universités),
-caractérisation d'équipement de dépôt, de handling,
-applications en optoélectronique
Spécifications à la fabrication :
Caractéristiques
Diamètre : 200 mm
Orientation : P<100>
Année de Fabrication : 1998
Substrat
Epaisseur : 725+/-20 µm
Résistivité : 1-2 Ω.cm
Croissance : CZ
Dopant : B
EPI
Epaisseur : 2.85-3.15 µm
Dopant : B
Résistivité : 9-11e15 Ω.cm