Wacker

L5

Nouveau produit

Diamètre : 200 mm

Orientation : P<100>

Année de Fabrication : 1998

Substrat

Epaisseur : 725+/-20 µm

Résistivité : 1-2 Ω.cm

Croissance : CZ

Dopant : B

EPI

Epaisseur : 2.85-3.15 µm

Dopant : B

Résistivité : 9-11e15 Ω.cm

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7 Produits

37,50 € HT

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Boîte de 25 plaquettes de Silicium 200 mm, qualité Semiconducteur

Date de production : 1998

Double emballage salle blanche PE + aluminium, ces wafers conviennent parfaitement pour les applications suivantes :

-tests, essais (laboratoires, universités),

-caractérisation d'équipement de dépôt, de handling,

-applications en optoélectronique 

Spécifications à la fabrication :

 

Caractéristiques

Diamètre : 200 mm

Orientation : P<100>

Année de Fabrication : 1998

Substrat

Epaisseur : 725+/-20 µm

Résistivité : 1-2 Ω.cm

Croissance : CZ

Dopant : B

EPI

Epaisseur : 2.85-3.15 µm

Dopant : B

Résistivité : 9-11e15 Ω.cm