Toshiba

Boîte de 25 plaquettes de Silicium 200 mm, qualité Semiconducteur

Date de production : 1999

Double emballage salle blanche PE + aluminium, ces wafers conviennent parfaitement pour les applications suivantes :

-tests, essais (laboratoires, universités),

-caractérisation d'équipement de dépôt, de handling,

-applications en optoélectronique 

Spécifications à la fabrication :

Caractéristiques

Diamètre : 200+/-0.25 µm

Orientation : P <100>

Année de Fabrication : 1999

Substrat

Epaisseur : 725+/-20 mm

Résistivité : 1.0-2.0 Ω.cm

Croissance : CZ

Dopant : P(B)

Warp :

TTV :