SEH America

L6

Nouveau produit

Diamètre : 199.70-200.20 mm

Orientation : P <100>

Année de Fabrication : 2004

Substrat

Epaisseur : 705-745 µm

Résistivité : 1.0-2.0 Ω.cm

Croissance : CZ

Dopant : B

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37,50 € HT

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Boîte de 25 plaquettes de Silicium 200 mm, qualité Semiconducteur

Date de production : 2004

Double emballage salle blanche PE + aluminium, ces wafers conviennent parfaitement pour les applications suivantes :

-tests, essais (laboratoires, universités),

-caractérisation d'équipement de dépôt, de handling,

-applications en optoélectronique 

Spécifications à la fabrication :

 

Caractéristiques

Diamètre : 199.70-200.20 mm

Orientation : P <100>

Année de Fabrication : 2004

Substrat

Epaisseur : 705-745 µm

Résistivité : 1.0-2.0 Ω.cm

Croissance : CZ

Dopant : B