B3-B2
Nouveau produit
Diamètre : 125 mm
Orientation : P<100>
Année de Fabrication : 1998
Substrat
Epaisseur : 625+/-25 µm
Résistivité : 11.0-16.0 Ω.cm
Croissance : CZ
Dopant : B
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Date de disponibilité:
Boîte de 25 plaquettes de Silicium 125 mm, qualité Semiconducteur
Date de production : 1998
Double emballage salle blanche PE + aluminium, ces wafers conviennent parfaitement pour les applications suivantes :
-tests, essais (laboratoires, universités),
-caractérisation d'équipement de dépôt, de handling,
-applications en optoélectronique
Spécifications à la fabrication :
Caractéristiques
Diamètre : 125 mm
Orientation : P<100>
Année de Fabrication : 1998
Substrat
Epaisseur : 625+/-25 µm
Résistivité :11.0-16.0 Ω.cm
Croissance : CZ
Dopant : B