Wacker

C0-B3-B2

Nouveau produit

Diamètre : 125 mm

Orientation : P<100>

Année de Fabrication : 1998

Substrat

Epaisseur : 625+25-40 µm

Résistivité : 20-40 Ω.cm

Croissance : CZ

Dopant : PH

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7 Produits

25,00 € HT

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Boîte de 25 plaquettes de Silicium 125 mm, qualité Semiconducteur

Date de production : 1998

Double emballage salle blanche PE + aluminium, ces wafers conviennent parfaitement pour les applications suivantes :

-tests, essais (laboratoires, universités),

-caractérisation d'équipement de dépôt, de handling,

-applications en optoélectronique 

Spécifications à la fabrication :

 

Caractéristiques

Diamètre : 125 mm

Orientation : P<100>

Année de Fabrication : 1998

Substrat

Epaisseur : 625+25-40 µm

Résistivité : 20-40 Ω.cm

Croissance : CZ

Dopant : PH