L5
Nouveau produit
Diamètre : 200 mm
Orientation : P<100>
Année de Fabrication :
Substrat
Epaisseur :
Résistivité : 5.0-10.0 Ω.cm
Croissance : CZ
Dopant : B
EPI
Epaisseur : 2.26-2.44 µm
Dopant : B
Résistivité :
12 Article Produits
Attention : dernières pièces disponibles !
Date de disponibilité:
Boîte de 25 plaquettes de Silicium 200 mm, qualité Semiconducteur
Date de production :
Double emballage salle blanche PE + aluminium, ces wafers conviennent parfaitement pour les applications suivantes :
-tests, essais (laboratoires, universités),
-caractérisation d'équipement de dépôt, de handling,
-applications en optoélectronique
Spécifications à la fabrication :
Caractéristiques
Diamètre : 200 mm
Orientation : P<100>
Année de Fabrication :
Substrat
Epaisseur :
Résistivité : 5.0-10.0 Ω.cm
Croissance : CZ
Dopant : B
EPI
Epaisseur : 2.26-2.44 µm
Dopant : B
Résistivité :