MEMC

L5

Nouveau produit

Diamètre : 200 mm

Orientation : P<100>

Année de Fabrication : 

Substrat

Epaisseur :

Résistivité : 5.0-10.0 Ω.cm

Croissance : CZ

Dopant : B

EPI

Epaisseur : 2.26-2.44 µm

Dopant : B

Résistivité :

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12 Produits

37,50 € HT

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Boîte de 25 plaquettes de Silicium 200 mm, qualité Semiconducteur

Date de production : 

Double emballage salle blanche PE + aluminium, ces wafers conviennent parfaitement pour les applications suivantes :

-tests, essais (laboratoires, universités),

-caractérisation d'équipement de dépôt, de handling,

-applications en optoélectronique 

Spécifications à la fabrication :

 

Caractéristiques

Diamètre : 200 mm

Orientation : P<100>

Année de Fabrication : 

Substrat

Epaisseur :

Résistivité : 5.0-10.0 Ω.cm

Croissance : CZ

Dopant : B

EPI

Epaisseur : 2.26-2.44 µm

Dopant : B

Résistivité :