B1
Nouveau produit
Diamètre : 124.8-125.2 mm
Orientation : P<100>
Année de Fabrication :
Substrat
Epaisseur : 600-650 µm
Résistivité : 0.010-0.020 Ω.cm
Croissance : CZ
Dopant : B
EPI
Epaisseur : 10.60-13.30 µm
Dopant : B
Résistivité : 1.0-1.5e15 Ω.cm
2 Article Produits
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Date de disponibilité:
Boîte de 25 plaquettes de Silicium 125 mm, qualité Semiconducteur
Date de production : 1995
Double emballage salle blanche PE + aluminium, ces wafers conviennent parfaitement pour les applications suivantes :
-tests, essais (laboratoires, universités),
-caractérisation d'équipement de dépôt, de handling,
-applications en optoélectronique
Spécifications à la fabrication :
Caractéristiques
Diamètre : 124.8-125.2 mm
Orientation : P<100>
Année de Fabrication :
Substrat
Epaisseur : 600-650 µm
Résistivité : 0.010-0.020 Ω.cm
Croissance : CZ
Dopant : B
EPI
Epaisseur : 10.60-13.30 µm
Dopant : B
Résistivité : 1.0-1.5e15 Ω.cm