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B1

Nouveau produit

Diamètre : 124.8-125.2 mm

Orientation : P<100>

Année de Fabrication :

 Substrat

Epaisseur : 600-650 µm

Résistivité : 0.010-0.020 Ω.cm

Croissance : CZ

Dopant : B

EPI

Epaisseur : 10.60-13.30 µm

Dopant : B

Résistivité : 1.0-1.5e15 Ω.cm

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2 Produits

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25,00 € HT

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Boîte de 25 plaquettes de Silicium 125 mm, qualité Semiconducteur

Date de production : 1995

Double emballage salle blanche PE + aluminium, ces wafers conviennent parfaitement pour les applications suivantes :

-tests, essais (laboratoires, universités),

-caractérisation d'équipement de dépôt, de handling,

-applications en optoélectronique 

Spécifications à la fabrication :

 

Caractéristiques

Diamètre : 124.8-125.2 mm

Orientation : P<100>

Année de Fabrication :

 

Substrat

Epaisseur : 600-650 µm

Résistivité : 0.010-0.020 Ω.cm

Croissance : CZ

Dopant : B

EPI

Epaisseur : 10.60-13.30 µm

Dopant : B

Résistivité : 1.0-1.5e15 Ω.cm