Laporte (Micropolish)

B2-A2

Nouveau produit

Diamètre : 125

Orientation : P<100>

Année de Fabrication : 1998

 

Substrat

Epaisseur : >555 µm

Résistivité : 11-25 Ω.cm

Croissance :

Dopant :

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13 Produits

25,00 € HT

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Boîte de 25 plaquettes de Silicium 125 mm, qualité Semiconducteur

Date de production : 1998

Double emballage salle blanche PE + aluminium, ces wafers conviennent parfaitement pour les applications suivantes :

-tests, essais (laboratoires, universités),

-caractérisation d'équipement de dépôt, de handling,

-applications en optoélectronique 

Spécifications à la fabrication : 

 

Caractéristiques

Diamètre : 125

Orientation : P<100>

Année de Fabrication : 1998

 

Substrat

Epaisseur : >555 µm

Résistivité : 11-25 Ω.cm

Croissance :

Dopant :