Aucun produit
Commander
Information
Fabricants
Fournisseurs
Mots-clés
Toshiba
Diamètre : 200+/-0.25 mm Orientation : P <100> Année de Fabrication : 1999 Substrat Epaisseur : 725+/-20 µm Résistivité : 1.0-2.0 Ω.cm Croissance : CZ Dopant : P(B) Warp : TTV :